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广东会网站用氮化镓发光材料特性

2018-01-02 | 浏览量: 426 广东会娱乐
文章标签:广东会网站发光材料

  随着信息时代的来临,以砷化镓为代表的第二代化合物半导体材料显示了其巨大的优越性,而以氮化物(包括Sic、ZnO等宽禁带半导体)为第三代半导体材料,由于其优越的发光特征正成为最重要的半导体材料之一,以下就对广东会网站用的氮化镓发光材料进行详细的介绍。
  
  氮化镓是一种宽禁带半导体,自由激子束缚能为25mev,具有宽的直接带隙,三族氮化物半导体InN、GaN和AIN的能带都是直接跃迁型,在性质上相互接近,他们的三元合金的带隙可以从1.9eV连续变化到6.2eV,这相应于覆盖光谱中整个可见光及远紫外光范围,实际上还没有一种其他材料体系具有如此宽的和连续可调的直接带隙。
  
  氮化镓是优良的光电子材料,可以实现从红外到紫外全可见光范围的光发射和红、黄、蓝三色具备的全光固体显示,强的原子键,高的热导率和强的抗辐射能力,其光跃迁几率比间接带隙的高一个数量级,氮化镓具有较高的电离度,在化合物中是最高的。在大气压下,氮化镓一般是六方纤锌矿结构。它的一个原胞中有4个原子,原子体积大约为GaAS的一半,氮化镓是极稳定的化合物,又是坚硬的高熔点材料,熔点约为1700摄氏度。

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